Optek OPB860N55
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Stock
35,619
25,352
Authorized Distributors
6
1
Sensing Method
-
-
Sensing Distance
3.175 mm
3.175 mm
Termination
-
-
Max Supply Voltage
-
-
Min Supply Voltage
-
-
Response Time
-
15 µs
Min Operating Temperature
-40 °C
-40 °C
Max Operating Temperature
85 °C
85 °C
Output Configuration
Phototransistor
-
Mount
Chassis Mount, Through Hole
Through Hole
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMexico
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Descrições
Descrições de Optek OPB860N55 fornecidas pelos seus distribuidores.
880nm Through-Beam 3.18mm Phototransistor wire mounting，base mount 12.32mm*6.35mm*10.8mm
Photointerrupter Transmissive 2.03 mm Phototransistor 4-Pin Slotted Optical Switch
OPB860 Series 30 V 30 mA Chassis Mount Slotted Optical Switch
Optical Switches, Transmissive, Phototransistor Output Slotted Opt Switch
SENSOR, SLOTTED OPTICAL SWITCH, 3.18MM SLOT, 2V EMITTER, 30V DETECTOR, 30 MA
3.11 mm SLOT WIDTH 1 CHANNEL SLOTTED OPTICAL SWITCH TRANSISTOR OUTPUT
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS MODUL
OPB860N55, OPTEK/TT ELECTRONICS
Nomes alternativos do fabricante
Optek possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Optek também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- OPTEK TECHNOLOGY
- TT Electronics/Optek Technology
- OPTEK TECHNOLOGY INC
- OPT
- OPTE
- OPTEK TECH
- OPTEC
- OPTK
- Optek / TT Electronics
- Optek Technology/TT Electronics
- TT Electronics - Optek
- TT Optek
- OPTEK TEC
- OPTEK Technologies
- C- OPTEK
- OPTEK TECHNOLOG
- C-OPTEKTECH
- OPTEK MIL
- OPTEK TECH INC
- Kyocera Optrex
- BEDFORD OPTO TECHNOLOGY LTD
- OPTEK INC
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Especificações técnicas
Physical
MountChassis Mount, Through Hole
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current100 nA
Forward Current50 mA
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current30 mA
Max Operating Temperature85 °C
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
Reverse Breakdown Voltage2 V
Schedule B8541408000
Sensing Distance3.175 mm
TouchscreenInfrared (IR)
Wavelength880 nm