Optek OPB840W11Z
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
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Descrições
Descrições de Optek OPB840W11Z fornecidas pelos seus distribuidores.
880nm Through-Beam 3.18mm 20ms Phototransistor wire mounting£¬base mount 16.13mm(height)
Fork coupler Dimensions L x W x H: 12.95 x 23.75 x 10.54 mm Gap width: 1.27 mm Operating temperature: -40...85 °C Output collector-emitter voltage: 30 V
Optoswitch, Phototransistor; Sensor Output Type:Phototransistor; Sensor Mounting:Panel - Chassis Rohs Compliant: Yes |Tt Electronics / Optek Technology OPB840W11Z
PHOTO INTERRUPTER, THROUGH BEAM, 3.18MM; Sensor Output: Phototransistor; Sensor Mounting: Panel / Chassis; Gap Width: 3.18mm; Aperture Width: 0.25mm; Forward Current If: 50mA; Reverse Voltage Vr: 2V; Forward Voltage: 1.7V; Prod
Nomes alternativos do fabricante
Optek possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Optek também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- OPTEK TECHNOLOGY
- TT Electronics/Optek Technology
- OPTEK TECHNOLOGY INC
- OPT
- OPTE
- OPTEK TECH
- OPTEC
- OPTK
- Optek / TT Electronics
- Optek Technology/TT Electronics
- TT Electronics - Optek
- TT Optek
- OPTEK TEC
- OPTEK Technologies
- C- OPTEK
- OPTEK TECHNOLOG
- C-OPTEKTECH
- OPTEK MIL
- OPTEK TECH INC
- Kyocera Optrex
- BEDFORD OPTO TECHNOLOGY LTD
- OPTEK INC
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -86.05%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Housing MaterialPlastic
MaterialPlastic
MountChassis Mount, Screw
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current100 nA
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.7 V
Input Current20 mA
Max Collector Current30 mA
Max Operating Temperature85 °C
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output TypePhototransistor
Output Voltage30 V
Power Dissipation100 mW
Reverse Breakdown Voltage2 V
Reverse Voltage (DC)2 V
Sensing Distance3.175 mm
TerminationLead Wire
TouchscreenInfrared (IR)
Wavelength880 nm
Dimensions
Height10.54 mm
Length23.75 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant