Optek OPB831W55Z
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Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Optek OPB831W55Z.
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMexico
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Descrições
Descrições de Optek OPB831W55Z fornecidas pelos seus distribuidores.
880nm Through-Beam 3.18mm 10ms Phototransistor wire mounting，base mount 16.13mm(height)
OPB831 Series 30 V 880 nm 50 mA Phototransistor Slotted Optical Switch
Sensor Opt Slot Phototrans Modul; |Tt Electronics/optek Technology OPB831W55Z
Optical Switches, Transmissive, Phototransistor Output EMMITER/SENSOR ASSY
SENSOR, SLOTTED OPTICAL SWITCH, 3.18MM SLOT, 2V EMITTER, 30V DETECTOR, 30 MA
Transistor Output Slotted Switch, 1-Channel, 3.18mm Slot Width
Photointerrupter Transmissive 3.18mm Phototransistor 4-Pin Bag
Reflective Object Sensors EMMITER/SENSOR ASSY
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS MODUL
Nomes alternativos do fabricante
Optek possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Optek também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- OPTEK TECHNOLOGY
- TT Electronics/Optek Technology
- OPTEK TECHNOLOGY INC
- OPT
- OPTE
- OPTEK TECH
- OPTEC
- OPTK
- Optek / TT Electronics
- Optek Technology/TT Electronics
- TT Electronics - Optek
- TT Optek
- OPTEK TEC
- OPTEK Technologies
- C- OPTEK
- OPTEK TECHNOLOG
- C-OPTEKTECH
- OPTEK MIL
- OPTEK TECH INC
- Kyocera Optrex
- BEDFORD OPTO TECHNOLOGY LTD
- OPTEK INC
Histórico de estoque
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Modelos CAD
0 modelos disponíveis
Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
MountChassis Mount, Screw
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current100 nA
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.7 V
Input Current20 mA
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current30 mA
Max Input Current20 mA
Max Operating Temperature80 °C
Max Output Voltage30 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output Voltage30 V
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
Reverse Breakdown Voltage2 V
Schedule B8541408000
Sensing Distance3.175 mm
TouchscreenInfrared (IR)
Wavelength880 nm
Fichas técnicas e documentos
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