onsemi TIP41CG
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867,572
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220
TO-220
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
6 A
6 A
6 A
Transition Frequency
3 MHz
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
1.5 V
1.5 V
hFE Min
15
15
15
Power Dissipation
2 W
65 W
65 W
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-07-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemiKSD1589YTU
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descrições
Descrições de onsemi TIP41CG fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-220, Through Hole
TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, NPN, POWER, VCEO 100VDC, IC 6A, PD 65W, TO-220AB, VCBO 100VDC
Trans General Purpose BJT NPN 100 Volt 6A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB Rail
TIP Series 100 V 6 A NPN Complementary Silicon Plastic Power Transistor TO-220AB
Bipolar Transistors (BJT); TIP41CG; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 100 V; 6 A
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
NPN Bipolar Power Transistor 100 V
100V 65W 6A 15@3A4V 3MHz 1.5V@6A600mA NPN -65¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-220(TO-220-3) Bipolar Transistors - BJT ROHS
onsemi NPNTransistor, TO-220ABencapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current6 A, maximum collector-emission voltage100 V
Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:100V; Continuous Collector Current:6A; Power Dissipation:2W; Transistor Mounting:Through Hole; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:3Mhz; Dc Current Gain Hfe Min:3Hfe; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi TIP41CG.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating6 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min15
Max Collector Current6 A
Max Frequency3 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation65 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.28 mm
Width4.82 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade