onsemi SBSS84LT1G
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-01-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2022-09-30
LTD Date2023-03-30
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InfineonBSS138NH6433XTMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 230 mA, 3.5 Ohm, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Descrições
Descrições de onsemi SBSS84LT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT-23 / Power MOSFET Single P-Channel SOT-23 -50 V, 10
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
POWER MOSFET SINGLE P-CHANNEL SOT-23 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
MOSFET, P-CH, 50V, 0.13A, SOT-23-3; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -130mA; Drain Source Voltage Vds: -50V; On Resistance Rds(on): 4.7o; Available until stocks are exhausted Alternative available
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -5.25%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)130 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-50 V
Drain to Source Resistance10 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)-50 V
Fall Time1.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance36 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation225 mW
Rds On Max10 Ω
Rise Time9.7 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time3.6 ns
Dimensions
Height1.11 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade