Diodes Inc. DMN53D0L-7
$ 0.075
Production
Preço e estoque
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMN53D0L-7 | 138.000 | 3K | 2d | ||||||||
| Newark | DMN53D0L-7 | 2.504 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMN53D0L-7DICT-ND | 55.888 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN53D0L-7 | 0 | 1 | 19h | ||||||||
| Future Electronics | DMN53D0L-7 | 0 | 3K | Tape & Reel |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-07-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMN53D0L-7 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 50 V 500 mA (Ta) 370 mW (Ta) SMT Enhancement Mode MOSFET - SOT-23
Mosfet, N-Ch, 50V, 0.5A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN53D0L-7
Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
DiodesZetex NMOS, Vds=50 V, 500 mA, SOT-23, , 3
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Capacitance46 pF
Continuous Drain Current (ID)500 mA
Drain to Source Breakdown Voltage50 V
Drain to Source Resistance1.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance46 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation540 mW
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max1.6 Ω
Rise Time2.5 ns
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time2.7 ns
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