onsemi PZTA64
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2025-10-08
LTD Date2026-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.DMJT9435-13
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 30 V, 800 mA, 1.2 W, SOT-223, Surface Mount
onsemiNJT4030PT1G
Bipolar Transistors (BJT); NJT4030PT1G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 40 V; 3 A; 4
Descrições
Descrições de onsemi PZTA64 fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 1-Element, PNP, Silicon
Trans Darlington PNP 30V 1.2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Pnp 30V Dr Bjt Sot223 Rohs Compliant: Yes |Onsemi PZTA64
1W 1.2A 10000@10mA5V 125MHz 1.5V@100mA100Ã×A PNP -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
PNP Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 800 mA. Sourced from Process 61.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223-4
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Weight188 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating-1.2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)10 V
hFE Min20000
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current1.2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Schedule B8541210080
Transition Frequency125 MHz
Voltage Rating (DC)-30 V
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade