onsemi PN2907ATF
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6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-40 V
-60 V
-60 V
Max Collector Current
800 mA
800 mA
800 mA
Transition Frequency
200 MHz
200 MHz
200 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-1.6 V
-1.6 V
-1.6 V
hFE Min
50
50
50
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
Descrições
Descrições de onsemi PN2907ATF fornecidas pelos seus distribuidores.
TRANS PNP 60V 0.8A TO92-3 / Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 800 mA 200MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
General Purpose Transistor PNP Silicon
The PN2907A, MMBT2907A, and PZT2907A are 60 V PNP bipolar transistors designed for use as a general-purpose amplifier or switch in applications that require up to 500 mA. Offered in an ultra-small surface-mount package (SOT-223), the PZT2907A is ideal for spaceconstrained systems. The NPN complementary types are the PN2222A, MMBT2222A, and PZT2222A; respectively.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-40 V
Collector Emitter Saturation Voltage-1.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating-800 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min50
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current800 mA
Max Frequency200 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade