onsemi PN2222TF
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5
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
60 V
60 V
Max Collector Current
600 mA
600 mA
600 mA
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
1 V
hFE Min
35
35
35
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2004-11-04
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
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Descrições
Descrições de onsemi PN2222TF fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
PN2222 Series 30V 600 mA Through Hole NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purp Amp
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min35
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current600 mA
Max Frequency100 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Transition Frequency300 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade