onsemi NVMFS5C404NLWFT1G
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6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
DFN
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
352 A
370 A
370 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
750 µΩ
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
3.9 W
3.9 W
3.9 W
Input Capacitance
12.168 nF
-
-
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE, NOT REC (Last Updated: 5 years ago)
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Diodes Inc.DMN4020LFDE-7
Mosfet, N-Ch, 40V, 8A, U-Dfn2020 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN4020LFDE-7
Diodes Inc.DMP32D4SFB-7B
Mosfet, P-Ch, 30V, 0.4A, Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP32D4SFB-7B
Diodes Inc.ZXMC3AMCTA
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
Descrições
Descrições de onsemi NVMFS5C404NLWFT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel Power MOSFET 40V, 370A, 0.67mΩ 1500 / Tape & Reel. Pb-Free, Wettable Flanks
Power Field-Effect Transistor, 352A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 60V, 370A, Dfn5; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:370A; On Resistance Rds(On):520Μohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)352 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance750 µΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time157 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance12.168 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation3.9 W
Rds On Max750 µΩ
Rise Time135 ns
Turn-Off Delay Time87 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade