onsemi NVMFS4841NT1G
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-12-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Peças relacionadas
InfineonIRF8113GPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 17.2A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Co
InfineonIRF7805ZTRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 5.5Milliohms;ID 16A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descrições
Descrições de onsemi NVMFS4841NT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET 30V, 89A, 7 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.
Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
16 A 30 V 0.0114 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0114ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET Single N-Channel 30V,89A,7mOhm
16A, 30V, 0.0114OHM, N-CHANNEL,
MOSFET, N-CH, 30V, 16A, DFN-5; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:16A; On Resistance Rds(on):0.0047ohm; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance11.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.436 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation112 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation112 W
Rds On Max7 mΩ
Rise Time66.5 ns
Turn-Off Delay Time15.5 ns
Turn-On Delay Time13.5 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade