Vishay SI4634DY-T1-GE3
$ 0.873
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SI4634DY-T1-GE3CT-ND | 2.499 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SI4634DY-T1-GE3 | 0 | 2500 | 8h | ||||||||
| TTI | SI4634DY-T1-GE3 | 0 | 2500 | Tape & Reel | 19h | |||||||
| Avnet | SI4634DY-T1-GE3 | 0 | 2500 | 20h | ||||||||
| TTI Europe | SI4634DY-T1-GE3 | 0 | 2500 | Tape & Reel | 21h |
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Descrições
Descrições de Vishay SI4634DY-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 30V 16.3A 8-Pin SOIC N T/R
Power Field-Effect Transistor, 16.3A I(D), 30V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 30V 24.5A 5.7W 5.2mohm @ 10V
FET Input Operational Amplifier
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:24500mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.0067ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.6V; Power Dissipation, Pd:2.5W ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSO
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight186.993455 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)16.3 A
Drain to Source Resistance5.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.15 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5.7 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max5.2 mΩ
Rise Time10 ns
Threshold Voltage2.6 V
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade