onsemi NVJS4151PT1G
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Peças relacionadas
InfineonIRLML6402TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID -3.7A;Micro3;PD 1.3W;VGS +/-12V
InfineonIRLML6402GTRPBF
Single P-Channel 20 V 1.3 W 8.0 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23
Diodes Inc.ZXMN2F34FHTA
Power MOSFET, Low Voltage, N Channel, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SOT-23, Surface Mount
Descrições
Descrições de onsemi NVJS4151PT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET, P-CH, 20V, 3.2A, 150DEG C, 1.2W; Available until stocks are exhausted
Single P−Channel Trench Power MOSFET -20V -4.1A 67mΩ
1.2W(Ta) 12V 1.2V@ 250µA 10nC@ 4.5 V 1individualPChannel 20V 67mΩ@ 2.9A,4.5V 3.2A 850pF@10V SOT-363-6 SMD mount 2mm*1.25mm*900μm
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.2 A
Drain to Source Voltage (Vds)20 V
Input Capacitance850 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max67 mΩ
Schedule B8541290080
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade