onsemi NVE4153NT1G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | NVE4153NT1G | 1.931 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | NVE4153NT1G | 8.200 | 1930 | |||||||||
| Rochester Electronics | NVE4153NT1G | 8.875 | 5h | |||||||||
| DigiKey | NVE4153NT1GOSCT-ND | 87.006 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Onlinecomponents.com | NVE4153NT1G | 0 | 250 | Bulk |
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6
6
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SC
SC
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
Continuous Drain Current (ID)
915 mA
915 mA
Threshold Voltage
760 mV
760 mV
Rds On Max
230 mΩ
230 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
6 V
6 V
Power Dissipation
300 mW
300 mW
Input Capacitance
110 pF
110 pF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-06-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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MOSFET, N CH, 20V, 0.29OHM, 970mA, SOT-416-3; Transistor Polarity:N Channel; Con
Descrições
Descrições de onsemi NVE4153NT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N−Channel Small Signal MOSFET with ESD Protection 20V, 915mA, 230mΩ
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Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins3
Weight29.993795 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)915 mA
Drain to Source Breakdown Voltage26 V
Drain to Source Resistance127 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)6 V
Input Capacitance110 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Power Dissipation300 mW
Rds On Max230 mΩ
Rise Time4.4 ns
Threshold Voltage760 mV
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time3.7 ns
Dimensions
Height800 µm
Length1.7 mm
Width950 µm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade