onsemi NVD6416ANT4G
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Price @ 1000
$ 0.553
Stock
143,635
253,325
Authorized Distributors
0
6
Mount
-
-
Case/Package
DPAK
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
-
Continuous Drain Current (ID)
17 A
19 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
81 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
71 W
-
Input Capacitance
620 pF
-
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2020-01-16
LTD Date2020-07-16
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Peças relacionadas
VishayIRFR110PBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; 0.54ohm; 25W; -55+150 deg.C; SMD; TO252(DPAK)
Descrições
Descrições de onsemi NVD6416ANT4G fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET 100V, 17A, 81mΩ Power MOSFET 100V 17A 81 mOhm Single N-Channel DPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MOSFET NFET DPAK 100V 17A 81MOHM
17 A 100 V 0.081 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
RES SMD 18.7K OHM 1% 1/16W 0402
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Number of Pins4
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance81 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance620 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation71 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation71 W
Rds On Max81 mΩ
Rise Time22 ns
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time9.2 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade