onsemi NVD6416ANLT4G
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Price @ 1000
$ 0.553
Stock
94,595
253,325
Authorized Distributors
0
6
Mount
-
-
Case/Package
DPAK
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
-
Continuous Drain Current (ID)
19 A
19 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
74 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
71 W
-
Input Capacitance
1 nF
-
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-10-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2020-01-16
LTD Date2020-07-16
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Peças relacionadas
onsemiNVD6415ANT4G
Single N-Channel Power MOSFET 100V, 23A, 55mΩ Power MOSFET 100V 23A 55 mOhm Single N-Channel DPAK
Descrições
Descrições de onsemi NVD6416ANLT4G fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET 100V, 19A, 74mΩ Power MOSFET 100V, 19A, 74 mOhm, Single N-Channel, DPAK, Logic Level.
N-Channel 100 V 19 A 74 mOhm Surface Mount Power MOSFET - DPAK-3
Trans MOSFET N-CH 100V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
NFET DPAK 100V 19A 81MOHM / 2500 REEL
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.074ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
19A, 100V, 0.074OHM, N-CHANNEL,
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Number of Pins4
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance74 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation71 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation71 W
Rds On Max74 mΩ
Resistance74 MΩ
Rise Time16 ns
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade