onsemi NTR1P02LT1G
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| Future Electronics | NTR1P02LT1G | 1.074.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | NTR1P02LT1G | 48.000 | 3K | |||||||||
| Verical | NTR1P02LT1G | 48.000 | 3K | |||||||||
| Master Electronics | NTR1P02LT1G | 48.000 | 3K | |||||||||
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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6
6
Mount
-
-
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
-20 V
Continuous Drain Current (ID)
1.3 A
1.3 A
Threshold Voltage
-1 V
-1 V
Rds On Max
220 mΩ
220 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
400 mW
400 mW
Input Capacitance
225 pF
225 pF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-12-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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onsemiNVR4501NT1G
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Diodes Inc.DMN2050L-7
DMN2050L Series 20 V 29 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
Descrições
Descrições de onsemi NTR1P02LT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
NTR1P02LT1: Small Signal MOSFET 20V 1.3A 220 mOhm Single P-Channel SOT-23 Logic Level
Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
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Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.3 A
Current Rating-1.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance220 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance225 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation400 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation400 mW
Rds On Max220 mΩ
Resistance220 MΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height940 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade