onsemi NTMS4177PR2G
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Production
Preço e estoque
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | NTMS4177PR2G | 2.500 | 1137 | 15h | ||||||||
| Newark | NTMS4177PR2G | 537 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Master Electronics | NTMS4177PR2G | 5.000 | 50 | |||||||||
| Onlinecomponents.com | NTMS4177PR2G | 5.000 | 50 | Bulk | ||||||||
| Rochester Electronics | NTMS4177PR2G | 292 | 13h |
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Fichas técnicas e documentos
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | 3D | Baixar | |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-03-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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InfineonIRF8707GTRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 11A, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Contin
InfineonIRF7424TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 13.5 Milliohms;ID -11A;SO-8;PD 2.5W;gFS 17S
Descrições
Descrições de onsemi NTMS4177PR2G fornecidas pelos seus distribuidores.
NTMS4177PR2G P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 11.4 A, 30 V, 8-PIN SOIC
P-Channel 30 V 12 mOhm 29 nC Surface Mount Power Mosfet -SOIC-8
Power MOSFET -30V -11.4A 19 mOhm Single P-Channel SO-8
MOSFET, P CHANNEL, -30V, -11.4A, SOIC-8; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -11.4A; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 0.01ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -2.5V; Power Dissipation Pd: 2.5W; Transistor Case Style: SOIC; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -13.01%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time36 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.52 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max12 mΩ
Rise Time13 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-2.5 V
Turn-Off Delay Time64 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade