onsemi NTMS3P03R2G
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Obsolete
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | NTMS3P03R2G | 47.314 | 871 | |||||||||
| Rochester Electronics | NTMS3P03R2G | 67.544 | 1d | |||||||||
| Avnet | NTMS3P03R2G | 0 | 2500 | 2d | ||||||||
| Win Source | WS-NTMS3P03R2G | 17.700 | 5 | 42m | ||||||||
| Worldway Electronics | NTMS3P03R2G | 25.758 | 7 | Tape & Reel | 1d |
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Stock
440,322
333,041
Authorized Distributors
3
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
2.34 A
2.34 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
85 mΩ
85 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
730 mW
-
Input Capacitance
750 pF
750 pF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-07-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2010-07-21
LTD Date2011-01-21
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
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Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode -30V, -3A, 115mΩ
Descrições
Descrições de onsemi NTMS3P03R2G fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET 30V 3.05A 85 mOhm Single P-Channel SO-8
P CHANNEL MOSFET, -30V, 3.05A, SOIC; Tra
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Power Field-Effect Transistor, 2.34A I(D), 30V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
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Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.34 A
Current Rating-3.05 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance85 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance750 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.7 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation730 mW
Rds On Max85 mΩ
Rise Time16 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height1.75 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RoHSCompliant
Declarações de conformidade