onsemi NDS9952A
$ 0.422
Obsolete
Preço e estoque
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | NDS9952A | 100 | 6h | |||||||||
| Sensible Micro | NDS9952A | 888 | 7d | |||||||||
| Win Source | WS-NDS9952A | 2.905 | 185 | 7h | ||||||||
| ICPartonline | NDS9952A | 16.504 | >1wk | |||||||||
| Worldway Electronics | NDS9952A | 26.621 | 7 | Tape & Reel | 6h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Peças relacionadas
InfineonIRF7306PBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID -3.6A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20V
InfineonIRF7306TRPBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID -3.6A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20V
InfineonIRF7326D2TRPBF
2W(Ta) 20V 1V@ 250¦ÌA 25nC@ 10 V 1P 30V 100m¦¸@ 1.8A,10V 3.6A 440pF@25V SOIC-8 1.5mm
Descrições
Descrições de onsemi NDS9952A fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.9A 8-Pin SOIC N T/R
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 30V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N/P Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:3.7A; On Resistance, Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET N & P CH 30V 3.7/-2.9A 8SOIC; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N/P ; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:3.7A; On State Resistance:80mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1.7V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
These dual N- and P-channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -6.11%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight230.4 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.7 A
Current Rating2.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance320 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.7 V
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation900 mW
Rds On Max80 mΩ
Resistance80 MΩ
Rise Time21 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1.7 V
Turn-Off Delay Time21 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade