onsemi NTMFS4852NT3G
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Stock
77,719
163,848
Authorized Distributors
2
6
Mount
-
-
Case/Package
DFN
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
16 A
16 A
Threshold Voltage
-
1.8 V
Rds On Max
2.1 mΩ
2.1 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
-
2.31 W
Input Capacitance
4.97 nF
4.97 nF
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
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Power MOSFET 30V 147A 2.0 mOhm Single N-Channel Thermally Enhanced SO-8FL
Diodes Inc.DMP32D4SFB-7B
Mosfet, P-Ch, 30V, 0.4A, Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP32D4SFB-7B
Diodes Inc.ZXMC3AMCTA
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
Descrições
Descrições de onsemi NTMFS4852NT3G fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 155A, 2.1mΩ
Nfet So8Fl 30V 155A 2.1Mo/Reel |Onsemi NTMFS4852NT3G
16 A 30 V 0.0033 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
MOSFET N-CHANNEL 30V 40A SOIC8-8 FL
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET,N CH,W DIODE,30V,16A,SO8 FL
MOSFET,N CH,W DIODE,30V,16A,SO8 FL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:155A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:86.2W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:DFN; No. of Pins:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011)
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDFN
Contact PlatingTin
Number of Pins5
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Drain to Source Resistance3.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.97 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation86.2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max2.1 mΩ
Rise Time25.6 ns
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time21.1 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5.1 mm
Width6.1 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade