onsemi NTJS3151PT1G
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar | |
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Stock
582,725
1,220,381
Authorized Distributors
6
6
Mount
-
-
Case/Package
SOT-363-6
SOT-363-6
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
12 V
Continuous Drain Current (ID)
2.7 A
2.7 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
60 mΩ
60 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
625 mW
625 mW
Input Capacitance
850 pF
850 pF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi NTJS3151PT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Single P-Channel Trench Power MOSFET with ESD Protection -12V -3.3A 60mΩ
NTJS3151P: Small Signal MOSFET 12V 3.3A 60 mOhm Single P-Channel SC-88/SC70-6/SOT-363
P-Channel 12 V 45 mOhm 0.625 W Surface Mount Trench Power MOSFET - SOT-363
NTJS3151PT1G P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3.3 A, 12 V, 6-PIN SC-88
Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R / MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
MOSFET, P CHANNEL, -12V, -2.7A, SC-88-6; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -2.7A; Drain Source Voltage Vds: -12V; On Resistance Rds(on): 0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage
Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:12V; Continuous Drain Current Id:2.7A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:4.5V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.2V; Power Dissipation:625Mw; No. Of Pins:6Pins Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTJS3151PT1G.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Contact PlatingTin
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.7 A
Current Rating-3.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-12 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time1.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance850 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation625 mW
Rds On Max60 mΩ
Resistance45 mΩ
Rise Time1.5 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time3.5 ns
Turn-On Delay Time860 ps
Voltage Rating (DC)-12 V
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade