onsemi NTHS5441T1G

Name: onsemi NTHS5441T1G
Brand: onsemi
SKU: NTHS5441T1G

Power MOSFET -20V -5.3A 60 mOhm Single P-Channel ChipFET

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	NTHS5441T1G	193					0,419	0,347	0,310	5h
RS (Formerly Allied Electronics)	NTHS5441T1G	0	1	Bulk	0,520	0,520	0,520	0,520	0,520	22h
Component Stockers USA	NTHS5441T1G	24.809			0,510	0,510	0,480	0,850	0,850	19h
Win Source	WS-NTHS5441T1G	20.370	85				0,697	0,465	0,465	6h
Worldway Electronics	NTHS5441T1G	20.809	7	Tape & Reel		0,045	0,044	0,041	0,041	5h

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onsemiNTHS5441T1G

onsemiNTHS5441T1

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$ 0.143

Stock

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460,465

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SMD/SMT

Drain to Source Voltage (Vdss)

-20 V

Continuous Drain Current (ID)

3.9 A

Threshold Voltage

Rds On Max

46 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

12 V

Power Dissipation

1.3 W

Input Capacitance

710 pF

Cadeia de suprimentos

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2001-05-01

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

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Descrições

Descrições de onsemi NTHS5441T1G fornecidas pelos seus distribuidores.

Power MOSFET -20V -5.3A 60 mOhm Single P-Channel ChipFET

onsemi

NTHS5441T1G P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 2.8 A, 20 V, 8-PIN CHIPFET

RS (Formerly Allied Electronics)

-20 V, -5.3 A, P-CHANNEL CHIPFET POWER MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

P Channel Mosfet, -20V, 5.3A, 1206A; Transistor, Polaridad:Canal P; Intensidad Drenador Continua Id:-5.3A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:-20V; Resistencia De Activación Rds(On):46Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):-4.5V |Onsemi NTHS5441T1G

Newark

Imagens

element14

Augswan

RS (Formerly Allied Electronics)

Newark

Rochester Electronics

LZChips

Nomes alternativos do fabricante

onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Especificações técnicas

Physical

Case/PackageSMD/SMT

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Weight4.535924 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)3.9 A

Current Rating-3.9 A

Drain to Source Breakdown Voltage-20 V

Drain to Source Resistance60 mΩ

Element ConfigurationSingle

Fall Time22 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)12 V

Input Capacitance710 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation1.3 W

Min Breakdown Voltage20 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs-1.2 V

Number of Elements1

Power Dissipation1.3 W

Rds On Max46 mΩ

Rise Time22 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time42 ns

Turn-On Delay Time14 ns

Voltage Rating (DC)-20 V

Dimensions

Height1.1 mm

Length3.1 mm

Width1.7 mm

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Conformidade

Classificação ambiental

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Declarações de conformidade

Rohs Statement3 páginas5 anos atrás

Reach Statement8 páginas11 anos atrás

Rohs StatementN/AN/A