onsemi NTHL080N120SC1A
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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$ 9.15
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Stock
219,609
568,778
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
TO-247
TO-247
TO-247
Drain to Source Voltage (Vds)
1.2 kV
1.2 kV
1.2 kV
Continuous Drain Current (ID)
31 A
44 A
44 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
-
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
-
25 V
25 V
Power Dissipation
-
178 W
178 W
Input Capacitance
-
-
-
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Descrições
Descrições de onsemi NTHL080N120SC1A fornecidas pelos seus distribuidores.
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 31 A, 1.2 kV, 110 Milliohms, TO-247, 3 Pins
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L
onsemi NChannel EnhancedMOSFET Transistor + Diodes NTHseries, Vds=1200 V, 31 A, TO-247encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 1200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)31 A
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)1.2 kV
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation178 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Schedule B8541290080
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade