onsemi NTHS5443T1G
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2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SMD/SMT
SMD/SMT
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
20 V
Continuous Drain Current (ID)
3.6 A
3.6 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
65 mΩ
65 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
1.3 W
1.3 W
Input Capacitance
-
-
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-05-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
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SI5935CDC-T1-GE3 DUAL P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR,3.8 A,20V,8-PIN 1206 CHIPFET
Descrições
Descrições de onsemi NTHS5443T1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Single P-Channel ChipFET™ Power MOSFET -20V -4.9A 65mΩ
NTHS5443T1G P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 4.9 A, 20 V, 8-PIN CHIPFET
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 8-Pin Chip FET T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, P-CH, 20V, 3.6A, CHIPFET;
MOSFETs- Power and Small Signal -20V -4.9A P-Channel
MOSFET, P-CH, 20V, 3.6A, 150DEG C, 1.3W
1.3W(Ta) 12V 600mV@ 250¦ÌA (Min) 12nC@ 4.5 V 1P 20V 65m¦¸@ 3.6A,4.5V 3.6A CHIPFET-8 3.05mm*1.65mm*1.05mm
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSMD/SMT
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.6 A
Current Rating-3.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance65 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.3 W
Rds On Max65 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time8.5 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.1 mm
Width1.7 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade