onsemi NTD4858NT4G
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312,222
Authorized Distributors
6
2
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
25 V
Continuous Drain Current (ID)
11.2 A
32 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
6.2 mΩ
8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
1.36 W
Input Capacitance
1.563 nF
1.333 nF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginVietnam
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-12-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2022-04-01
LTD Date2022-10-01
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Peças relacionadas
onsemiNTD4860N-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 10.4A Ta 65A Tc 12.6A 2W 2.3ns
Descrições
Descrições de onsemi NTD4858NT4G fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 25 V 6.2 mOhm 2 W Tab Mount Power MOSFET - TO-252-3
NTD4858NT4G N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 73 A, 25 V, 3-PIN DPAK
Single N-Channel Power MOSFET 25V, 73A, 6.2mΩ
Mosfet, N-Ch, 25V, 73A, To-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:73A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(On):0.0062Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTD4858NT4G.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
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Modelos CAD
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Peças alternativas
1 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Number of Pins4
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)11.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance9.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.563 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation54.5 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max6.2 mΩ
Resistance6.2 MΩ
Rise Time17.3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time23.8 ns
Turn-On Delay Time12.6 ns
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade