onsemi NSBA114TDXV6T5
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2
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-563
SOT-563
SOT-563
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
-
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
-
-
hFE Min
160
160
160
Power Dissipation
357 mW
357 mW
357 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-05-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
onsemiNSBA143TDXV6T1
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 / Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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ToshibaRN4902FE,LF(CT
Transistor Silicon PNP-NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)
Descrições
Descrições de onsemi NSBA114TDXV6T5 fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Non-Compliant Surface Mount 600 µm 160 PNP Contains Lead Tape & Reel (TR) SOT-563
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-563
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current-100 mA
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationDual
hFE Min160
Max Collector Current100 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityPNP
Power Dissipation357 mW
Voltage Rating (DC)-50 V
Dimensions
Height600 µm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade