onsemi NJD2873T4G
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6
6
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Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
50 V
Max Collector Current
2 A
2 A
2 A
Transition Frequency
65 MHz
65 MHz
65 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
300 mV
300 mV
hFE Min
40
40
40
Power Dissipation
1.68 W
1.68 W
1.68 W
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-05-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de onsemi NJD2873T4G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 2 A, 1.68 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 2A 65MHz 1.68W Surface Mount DPAK
NPN SILICON DPAK POWER TRANSISTOR FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Bipolar (Bjt) Single Transistor, Npn; |Onsemi NJD2873T4G.
Bipolar Transistors (BJT); NJD2873T4G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 50 V; 2 A
2.0 A, 50 V NPN Bipolar Power Transistor
50V 15W 120@500mA,2V 2A NPN TO-252 Bipolar Transistors - BJT ROHS
NJD Series 50 V 2 A Tab Mount NPN Silicon Plastic Power Transistor - TO-252-3
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
onsemi NPNTransistor, DPAK (TO-252)encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current2 A, maximum collector-emission voltage50 V
TRANS, BIPOL, NPN, 50V, TO-252; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:65MHz; Power Dissipation Pd:1.68W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:40hFE; Transistor C
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product65 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation12.5 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1.68 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency65 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade