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onsemi NDS351N

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.1A, 250mΩ
Obsolete
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NDS351N
710
14h
Win Source
WS-NDS351N
6.200
290
USD
0,166
0,135
14h
Worldway Electronics
NDS351N
29.057
7
Tray
USD
0,091
0,089
0,085
0,084
13h
Fmall Co., Limited
NDS351N
14.220
USD
0,125
0,125
0,117
0,110
0,101
>1w
Anlinkda
NDS351N
43.703
USD
0,265
0,237
0,196
0,196
0,185
1d

Fichas técnicas e documentos

Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi NDS351N.

IHS

Datasheet8 páginas4 anos atrás
Datasheet7 páginas28 anos atrás

Farnell

onsemi

Fairchild Semiconductor

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3D
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Cadeia de suprimentos

Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

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-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro3 package, SOT23-3, RoHS
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InfineonIRLML2803GTRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 1.2A, MICRO3; Transistor Polarity:N Channel; Con
Detalhes

Descrições

Descrições de onsemi NDS351N fornecidas pelos seus distribuidores.

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.1A, 250mΩ
onsemi
30V 1.1A 500mW 160m´Î@10V1.4A 2V@250Ã×A N Channel SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs ROHS
Dasenic
Mosfet, N-Ch, 30V, 1.1A, Supersot-3; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:1.1A; On Resistance Rds(On):0.135Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V Rohs Compliant: Yes
Newark
MOSFET, N SOT-23; Transistor type:MOSFET; Current, Id cont:1.1A; Resistance, Rds on:0.2ohm; Case style:SOT-23 (TO-236); Current, Idm pulse:10A; Depth, external:2.5mm; Length / Height, external:1.12mm; Marking, SMD:351; Pins, No. of:3; Power dissipation:0.5W; Power, Pd:0.5W; Temperature, current:25°C; Temperature, full power rating:25°C; Termination Type:SMD; Transistor polarity:N; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds max:30V; Voltage, Vgs th max:2V; Width, external:3.05mm; Width, tape:8mm
Farnell
These N-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications in notebook computers, portable phones, PCMCIA cards, and other battery powered circuits where fast switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
Fairchild Semiconductor

Imagens

Newark
RS
Farnell
Newark
Rochester Electronics

Nomes alternativos do fabricante

onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • NDS351N.