onsemi MURD320T4G

Name: onsemi MURD320T4G
Brand: onsemi
SKU: MURD320T4G

Diode, Rectifier, Ultrafast, Vr 200V, If 3A, Pkg D-PAK, Vf 0.95V, Trr 35ns, Tj +175degc

$ 0.327

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		MURD320T4G	17.500	2500						0,288	1d
Newark	3	MURD320T4G	1.648	1	Cut Tape	0,565	0,565	0,565	0,565	0,565
Verical	5	MURD320T4G	5.000	2500						0,282
Arrow Electronics	2	MURD320T4G	1.644	1		0,315	0,310	0,302	0,288	0,288
Master Electronics		MURD320T4G	2.500	100				0,527	0,327	0,292

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onsemiMURD320T4G

STMicroelectronicsSTTH4R02B-TR

Price @ 1000

$ 0.327

$ 0.275

Stock

1,389,409

838,360

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

Forward Voltage

950 mV

830 mV

Reverse Voltage (DC)

Average Rectified Current

3 A

4 A

Max Reverse Leakage Current

Reverse Recovery Time

35 ns

30 ns

Cadeia de suprimentos

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, TO-252AA

Detalhes

Descrições

Descrições de onsemi MURD320T4G fornecidas pelos seus distribuidores.

Diode, Rectifier, Ultrafast, Vr 200V, If 3A, Pkg D-PAK, Vf 0.95V, Trr 35ns, Tj +175degc

SHENGYU ELECTRONICS

Power Rectifier, Ultra-Fast Recovery, Switch-mode, 3 A, 200 V

onsemi

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon

ComSIT Distribution GmbH

Rectifier Diode Switching 200V 3A 35ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Verical

Rectifier Diodes & Bridges; MURD320T4G; ON SEMICONDUCTOR; 5 µA; 3 A; 3; 75 A

Maritex

FAST RECOVERY DIODE, 3A, 200V, DPAK; Repetitive Peak Reverse Voltage:200V; Average Forward Current:3A; Diode Configuration:Common Anode; Forward Voltage Max:950mV; Reverse Recovery Time:35ns; Forward Surge Current:75A RoHS Compliant: Yes

Newark

Imagens

RS (Formerly Allied Electronics)

TME

iiiC

Future Electronics

Rochester Electronics

Nomes alternativos do fabricante

onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

MURD320T4G.
MURD320T4G..

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Peças alternativas

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Especificações técnicas

Physical

Case/PackageDPAK

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Average Rectified Current3 A

Breakdown Voltage200 V

Current Rating3 A

Element ConfigurationCommon Anode

Forward Current3 A

Forward Voltage950 mV

Max Forward Surge Current (Ifsm)75 A

Max Operating Temperature175 °C

Max Output Current3 A

Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)200 V

Max Reverse Voltage (DC)200 V

Max Surge Current75 A

Min Operating Temperature-65 °C

Natural Thermal Resistance80 °C/W

Number of Elements1

Output Current3 A

PackagingTape and Reel

Peak Non-Repetitive Surge Current75 A

Peak Reverse Current5 µA

PolarityStandard

Recovery Time35 ns

Reverse Recovery Time35 ns

Reverse Standoff Voltage200 V

Reverse Voltage200 V

Schedule B8541100080

Voltage Rating (DC)200 V

Dimensions

Height2.38 mm

Length6.73 mm

Width6.22 mm

Fichas técnicas e documentos

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IHS

Datasheet5 páginas5 anos atrás

Upverter

element14 APAC

Newark

JRH Electronics

Conformidade

Classificação ambiental

China RoHSNon-Compliant

Halogen FreeHalogen Free

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Declarações de conformidade

Rohs Statement1 páginas13 anos atrás

Materials SheetN/AN/A

Rohs Statement3 páginas5 anos atrás

Reach Statement8 páginas11 anos atrás

Rohs StatementN/AN/A