onsemi MUN5114T1G
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6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SC
SC
SC
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
-
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
-
-
-
hFE Min
80
80
80
Power Dissipation
202 mW
310 mW
310 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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ROHMDTC143TUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descrições
Descrições de onsemi MUN5114T1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
MUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm PNP Silicon Bias Resistor Transistor - SOT-323
PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
250mV@ 300¦ÌA,10mA PNP - Pre-Biased 310mW 500nA 50V 100mA SOT-323 SMD mount 2.1mm*1.24mm*850¦Ìm
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Transistor Polarity:Single PNP; Collector Emitter Voltage Max NPN:-; Collector Emitter Voltage Max PNP:50V; Continuous Collector Current:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm; Base Emitter Resistor R2:47kohm; No. of Pins:3 Pin RoHS Compliant: Yes
This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space. The device is housed in the SC-70/SOT-323 package which is designed for low power surface mount applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
1 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSC
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min80
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current100 mA
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Operating Supply Voltage50 V
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation202 mW
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)-50 V
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade