onsemi MTP2P50EG
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2015-10-17
LTD Date2016-04-17
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de onsemi MTP2P50EG fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET -500V -2A 6 Ohm Single P-Channel TO-220
Trans MOSFET P-CH 500V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET P-CH 500V 2A TO220AB
500 VOLTS, 2 AMPS TO-220 P-CHANNEL POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, P, TO-220; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 2A; Drain Source Voltage Vds: -500V; On Resistance Rds(on): 6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: -3V; Power Dissipation Pd:
This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition this Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The energy efficient design also offers a drain-to-source diode with a fast recovery time. Designed for high voltage high speed switching applications in power supplies converters and PWM motor controls these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Current Rating-2 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance6 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.183 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation75 W
Rds On Max6 Ω
Resistance6 Ω
Rise Time14 ns
Threshold Voltage-3 V
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)-500 V
Dimensions
Height9.28 mm
Length10.28 mm
Width4.82 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade