onsemi MMBZ27VALT1G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | MMBZ27VALT1G | 3.000 | 3K | 11h | ||||||||
| Future Electronics | MMBZ27VALT1G | 9.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Newark | MMBZ27VALT1G | 36.479 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | MMBZ27VALT1G | 540.000 | 30K | |||||||||
| Arrow Electronics | MMBZ27VALT1G | 30.000 | 1 |
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Authorized Distributors
6
6
6
Polarity
Unidirectional
Unidirectional
Unidirectional
Number of Unidirectional Channels
2
2
2
Number of Bidirectional Channels
-
-
-
Breakdown Voltage
27 V
27 V
27 V
Clamping Voltage
40 V
40 V
40 V
Peak Pulse Power
40 W
40 W
40 W
Peak Pulse Current
1 A
1 A
1 A
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descrições
Descrições de onsemi MMBZ27VALT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
MMBZ Series 40 W 27 V Bi-Directional Surface Mount Zener TVS Diode - SOT-23-3
1A 40W 40V 25.65V 22V SOT-23 ESD and Surge Protection (TVS/ESD) ROHS
TVS Diode, MMBZ2, Unidirectional, 22 V, 40 V, SOT-23, 3 Pins
MMBZ27VALT1G, DUAL UNI-DIRECTIONAL TVS DIODE, 40W, 3-PIN SOT-23
Product Range:MMBZ2 Series; TVS Polarity:Unidirectional; Reverse Standoff Voltage:22V; Clamping Voltage Max:40V; Diode Case Style:SOT-23; No. of Pins:3Pins; Minimum Breakdown Voltage:25.65V; Maximum Breakdown Voltage:28.35V RoHS Compliant: Yes
These dual monolithic silicon zener diodes are designed for applications requiring transient overvoltage protection capability. They are intended for use in voltage and ESD sensitive equipment such as computers printers business machines communication systems medical equipment and other applications. Their dual junction common anode design protects two separate lines using only one package. These devices are ideal for situations where board space is at a premium.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Breakdown Voltage27 V
Clamping Voltage40 V
CompositionZener
DirectionUnidirectional
Element ConfigurationCommon Anode
ESD ProtectionYes
Forward Voltage900 mV
Leakage Current50 nA
Max Breakdown Voltage28.35 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Max Reverse Leakage Current50 nA
Max Surge Current1 A
Min Breakdown Voltage25.65 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Number of Unidirectional Channels2
Operating Supply Voltage22 V
PackagingTape and Reel
Peak Pulse Current1 A
Peak Pulse Power 40 W
Peak Reverse Current50 nA
PolarityUnidirectional
Power Dissipation40 W
Power Line ProtectionNo
Power Rating40 W
Reverse Breakdown Voltage25.65 V
Reverse Standoff Voltage22 V
Schedule B8536300000
TerminationSMD/SMT
Test Current1 mA
Voltage Rating (DC)27 V
Working Voltage22 V
Dimensions
Depth1.3 mm
Height940 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade