onsemi MMBZ12VALT1G
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.10.00.50
Introduction Date1999-12-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descrições
Descrições de onsemi MMBZ12VALT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 12Vbr 17Vc 3-Pin SOT-23 T/R
Bi-Directional 40 W 17 V Surface Mount Transient Voltage Suppressor - SOT-23-3
Trans Voltage Suppressor Diode, 40W, 8.5V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO-236
Dual Common Anode Zener Diode Protection
MMBZ12VALT1G, DUAL UNI-DIRECTIONAL TVS DIODE, 40W, 3-PIN SOT-23
±5% 200nA 12V 300mW Freestanding SOT-23-3，TO-236 SMD mount 2.9mm*1.3mm*1mm
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These dual monolithic silicon zener diodes are designed for applications requiring transient overvoltage protection capability. They are intended for use in voltage and ESD sensitive equipment such as computers printers business machines communication systems medical equipment and other applications. Their dual junction common anode design protects two separate lines using only one package. These devices are ideal for situations where board space is at a premium.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Breakdown Voltage12 V
Clamping Voltage17 V
CompositionZener
DirectionUnidirectional
Element ConfigurationCommon Anode
ESD ProtectionYes
Forward Voltage900 mV
Leakage Current200 nA
Max Breakdown Voltage12.6 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current2.35 A
Max Power Dissipation225 mW
Max Reverse Leakage Current200 nA
Max Surge Current2.35 A
Min Breakdown Voltage11.4 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Bidirectional Channels1
Number of Channels2
Number of Elements2
Number of Unidirectional Channels2
Operating Supply Voltage8.5 V
PackagingTape and Reel
Peak Pulse Current2.35 A
Peak Pulse Power 40 W
Peak Reverse Current200 nA
PolarityUnidirectional
Power Dissipation40 W
Power Line ProtectionNo
Power Rating40 W
Reverse Breakdown Voltage11.4 V
Reverse Standoff Voltage8.5 V
Schedule B8536300000
TerminationSMD/SMT
Test Current1 mA
Voltage Rating (DC)12 V
Working Voltage8.5 V
Dimensions
Depth1.3 mm
Height1.01 mm
Length2.9 mm
Width1.4 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade