onsemi MMBTH10LT1
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Ficha técnica oficial4 anos atrás
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2
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
25 V
25 V
25 V
Max Collector Current
25 mA
25 mA
25 mA
Transition Frequency
650 MHz
650 MHz
650 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
500 mV
hFE Min
60
60
60
Power Dissipation
300 mW
225 mW
225 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-05-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2010-07-21
LTD Date2011-01-21
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Descrições
Descrições de onsemi MMBTH10LT1 fornecidas pelos seus distribuidores.
High Voltage PNP Bipolar Transistor. ONSSPCTRNSTJF1A7U;
Trans GP BJT NPN 25V 3-Pin SOT-23 T/R
TRANS SS VHF NPN 25V SOT23 / RF Transistor
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-236AB
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage25 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Current Rating4 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)3 V
Frequency650 MHz
Gain Bandwidth Product650 MHz
hFE Min60
Max Collector Current25 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Transition Frequency650 MHz
Voltage Rating (DC)25 V
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade