onsemi MMBTA92
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2
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
300 V
-
-
Max Collector Current
500 mA
500 mA
500 mA
Transition Frequency
50 MHz
50 MHz
50 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
-500 mV
-500 mV
hFE Min
25
25
25
Power Dissipation
350 mW
300 mW
300 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1989-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.MMBTA92-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 300 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.DP350T05-7
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.FMMT6520TA
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R / TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Descrições
Descrições de onsemi MMBTA92 fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor: PNP; bipolar; -300V; -0.5A; 225mW; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
300V 300mW 100@10mA,10V 300mA PNP SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
MMBTA92 Series 300 V CE Breakdown 0.5 A PNP General Purpose Amplifier - SOT-23
SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 300V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
MMBTA92,@TRANSISTOR,MMBTA92,2D ,SOT-23 PNP SILICON (10)
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency Typ ft:50MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:40; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:500mV; Continuous Collector Current Ic Max:100mA; Current Ic Continuous a Max:100mA; Current Ic hFE:10mA; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:50MHz; Gain Bandwidth ft Typ:50MHz; Hfe Min:40; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:350mW; Power Dissipation Ptot Max:350mW; SMD Marking:2D; Tape Width:8mm; Termination Type:SMD; Voltage Vcbo:300V
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-300 V
Collector Emitter Breakdown Voltage300 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)300 V
Current Rating-500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min25
Max Breakdown Voltage300 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation350 mW
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)-300 V
Dimensions
Height6.35 mm
Length6.35 mm
Width6.35 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade