onsemi MMBTA64
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2
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-30 V
30 V
Max Collector Current
300 mA
500 mA
Transition Frequency
125 MHz
125 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-1.5 V
1.5 V
hFE Min
10000
20000
Power Dissipation
350 mW
-
Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-08-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
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Diodes Inc.MMBTA64-7-F
30 V 500 mA 125MHz 300 mW PNP Surface Mount Bipolar (BJT) Transistor - SOT-23-3
Diodes Inc.MMBTA63-7-F
MMBTA63 Series 30 V 0.5 A PNP Surface Mount Darlington Transistor - SOT-223
Descrições
Descrições de onsemi MMBTA64 fornecidas pelos seus distribuidores.
PNP 350 mW 30 V 1.2 A Surface Mount Darlington Transistor - SOT-23-3
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), PNP
Trans Darlington PNP 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
PNP Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 800 mA. Sourced from Process 61.
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -30V, SOT-23-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -30V; Transition Frequency ft: 125MHz; Power Dissipation Pd: 350mW; DC Collector Current: -1.2A; DC Current Gain hFE: 10000h
Small Signal Bipolar Transistor; Transistor Polarity:PNP; Power Dissipation, Pd:0.35W; DC Current Gain Min (hfe):20000; Package/Case:SOT-23; C-E Breakdown Voltage:30V; DC Collector Current:1.2A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-30 V
Collector Emitter Saturation Voltage-1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)-30 V
Current Rating-1.2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-10 V
hFE Min10000
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current300 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation350 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency125 MHz
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height1.2 mm
Length2.92 mm
Width1.3 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade