onsemi MMBTA63LT1G
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Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23
SOT-23
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
30 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
500 mA
Transition Frequency
125 MHz
125 MHz
125 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
1.5 V
1.5 V
hFE Min
10000
10000
10000
Power Dissipation
225 mW
-
-
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemiMMBTA64LT3G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Descrições
Descrições de onsemi MMBTA63LT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar Transistors (BJT); MMBTA63LT1G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 30 V; 500 mA; 3
MMBT Series 30 V 500 mA PNP Silicon Darlington Transistor - SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
PNP Bipolar Darlington Transistor
1.5V@ 100¦ÌA,100mA PNP - Darlington 300mW 10V 100nA 30V 30V 500mA SOT-23-3,TO-236 2.9mm*1.3mm*940¦Ìm
500 mA 30 V PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB
BIPOLAR Transistor, PNP, -30V; TRANSISTO; BIPOLAR Transistor, PNP, -30V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency ft:125MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:10000; No. of Pins:3
Transistor, Pnp, -30V, -0.5A, Sot-23-3; Transistor Polarity:Pnp; No. Of Pins:3Pins; Transistor Mounting:Surface Mount; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Qualification:Aec-Q101; Collector Emitter Voltage Max:30V Rohs Compliant: Yes |Onsemi MMBTA63LT1G.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Continuous Collector Current-500 mA
Current Rating-500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)10 V
hFE Min10000
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation225 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency125 MHz
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height1.01 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade