onsemi MMBTA56
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Obsolete
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | MMBTA56 | 3.814 | 6h | |||||||||
| Farnell | MMBTA56 | 0 | 1 | Cut Tape | 6h | |||||||
| Win Source | WS-MMBTA56 | 297.508 | 3070 | 7h | ||||||||
| Worldway Electronics | MMBTA56 | 26.481 | 7 | Tape & Reel | 6h | |||||||
| Chipsmall Limited | MMBTA56 | 5.004.580 | 1 | 2h |
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 SnapEDA | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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68,732,600
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Authorized Distributors
2
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
-
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-80 V
-80 V
-80 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
500 mA
Transition Frequency
50 MHz
50 MHz
50 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-250 mV
-250 mV
-250 mV
hFE Min
50
100
100
Power Dissipation
350 mW
-
-
Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1989-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
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Diodes Inc.MMBT2907A-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 600 mA, 310 mW, SOT-23, Surface Mount
Descrições
Descrições de onsemi MMBTA56 fornecidas pelos seus distribuidores.
MMBTA56 Series 80 V CE Breakdown 0.5 A PNP General Purpose Amplifier - SOT-23
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP
PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 73.
Transistor; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:PNP; Power Dissipation, Pd:0.35W; DC Current Gain Min (hfe):100; Package/Case:SOT-23; C-E Breakdown Voltage:80V; DC Collector Current:0.5A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-80 V
Collector Emitter Saturation Voltage-250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating-500 mA
Emitter Base Voltage (VEBO)-4 V
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min50
Max Collector Current500 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation350 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)-80 V
Dimensions
Height1.2 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade