onsemi MMBTA28
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6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-236-3
SOT-23
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
800 mA
500 mA
500 mA
Transition Frequency
125 MHz
125 MHz
125 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2 V
1.5 V
1.5 V
hFE Min
10000
10000
10000
Power Dissipation
350 mW
310 mW
310 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1996-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descrições
Descrições de onsemi MMBTA28 fornecidas pelos seus distribuidores.
MMBTA28 Series 80 V CE Breakdown 0.8 A NPN Darlington Transistor - SSOT-3
NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 500 mA. Sourced from Process 03.
TRANSISTOR, NPN, 80V, 0.8A, SUPERSOT-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: 125MHz; Power Dissipation Pd: 350mW; DC Collector Current: 800mA; DC Current Gain hFE: 10000hF
Transistor; Transistor Type:Darlington; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:80V; Continuous Collector Current, Ic:800mA; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.2V; Power Dissipation, Pd:350mW ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating800 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)12 V
hFE Min10000
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current800 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation350 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency125 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height1.02 mm
Length2.51 mm
Width1.4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade