onsemi MMBTA13
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17,471,985
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Authorized Distributors
2
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
30 V
Max Collector Current
300 mA
300 mA
300 mA
Transition Frequency
125 MHz
125 MHz
125 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
1.5 V
1.5 V
hFE Min
5000
10000
10000
Power Dissipation
350 mW
225 mW
225 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1989-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2019-01-26
LTD Date2019-07-26
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
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Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Descrições
Descrições de onsemi MMBTA13 fornecidas pelos seus distribuidores.
MMBTA13 Series 30 V CE Breakdown 1.2 A NPN Darlington Transistor - SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans Darlington NPN 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
TRANSISTOR, DARLINGTON SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 350mW; DC Collector Current: 1.2A; DC Current Gain hFE: 5000hFE; Transistor Ca
Small Signal Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Power Dissipation, Pd:0.35W; DC Current Gain Min (hfe):10000; Package/Case:SOT-323; C-E Breakdown Voltage:30V; DC Collector Current:1.2A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
DARLINGTON TRANSISTOR, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:1.2A; DC Current Gain hFE:10000; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Av Current Ic:1.2A; Collector Emitter Voltage Vces:1.5V; Continuous Collector Current Ic Max:300mA; Current Ic Continuous a Max:1.2A; Current Ic hFE:10A; Device Marking:MMBTA13; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; External Width:3.05mm; Gain Bandwidth ft Min:125MHz; Gain Bandwidth ft Typ:125MHz; Hfe Min:10000; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:350mW; Power Dissipation Ptot Max:350mW; SMD Marking:1M; Termination Type:SMD; Transistor Type:Darlington; Voltage Vcbo:30V
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating1.2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)10 V
hFE Min5000
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current300 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation350 mW
Transition Frequency125 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height930 µm
Length2.92 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade