onsemi MMBTA05LT3G
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6
6
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Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
60 V
60 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
500 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
250 mV
250 mV
hFE Min
100
100
100
Power Dissipation
300 mW
300 mW
300 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descrições
Descrições de onsemi MMBTA05LT3G fornecidas pelos seus distribuidores.
ON SEMI MMBTA05LT3G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.5 A, 60 V, 3-PIN SOT-23
60V 225mW 500mA 100@10mA1V 100MHz NPN 250mV@100mA10mA -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
onsemi NPN Transistor SOT-23 SMD 500mA 60V
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)4 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current500 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length3.04 mm
Width2.64 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade