onsemi MMBT6428LT1G
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6
3
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
Max Collector Current
200 mA
500 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
600 mV
hFE Min
250
250
Power Dissipation
300 mW
350 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descrições
Descrições de onsemi MMBT6428LT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
ON Semi MMBT6428LT1G NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 50 V; 3-Pin SOT-23
50V 225mW 250@100uA,5V 200mA NPN SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
MMBT Series 50 V 200 mA Surface Mount NPN Silicon Amplifier Transistor - SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
General Purpose Transistors VCEO=50V VEBO=6V IC=200mA NPN SOT23
SS SOT23 LN XSTR NPN 50V; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Transition Frequency ft: 700MHz; Power Dissipation Pd: 225mW; DC Collector Current: 200mA; DC Current Gain hFE: 250hFE; Transistor Ca
Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage Max:50V; Continuous Collector Current:200mA; Power Dissipation:225mW; Transistor Mounting:Surface Mount; No. of Pins:3Pins; Transition Frequency:700MHz; Product Range:MMBTxxxx SeriesRoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating200 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency700 MHz
Gain Bandwidth Product700 MHz
hFE Min250
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency700 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length3.04 mm
Width2.64 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade