onsemi MMBT5550
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | MMBT5550 | 9.113 | 22h | |||||||||
| Flip Electronics | MMBT5550 | 40.000 | 1d | |||||||||
| element14 APAC | MMBT5550 | 0 | 5 | Cut Tape | 10h | |||||||
| Farnell | MMBT5550 | 0 | 5 | Cut Tape | 22h | |||||||
| Win Source | WS-MMBT5550 | 183.000 | 1280 | 23h |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-01-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
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Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount
Descrições
Descrições de onsemi MMBT5550 fornecidas pelos seus distribuidores.
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TRANSISTOR,NPN,SMD,SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:150V; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:60; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Collector Emitter Voltage Vces:250mV; Current Ic Continuous a Max:50mA; Hfe Min:60; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:225mW; Termination Type:SMD
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)160 V
Collector Emitter Breakdown Voltage140 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)140 V
Current Rating600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min20
Max Breakdown Voltage140 V
Max Collector Current600 mA
Max Frequency50 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)140 V
Dimensions
Height930 µm
Length2.92 mm
Width1.3 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade