Diodes Inc. MMBTA06-7-F
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67,465,423
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
500 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
250 mV
250 mV
hFE Min
100
100
100
Power Dissipation
310 mW
-
-
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China, Taiwan
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-04-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Descrições
Descrições de Diodes Inc. MMBTA06-7-F fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Transistor General Purpose BJT NPN 80 Volt 0.5 Amp 3-Pin SOT-23 Tape And Reel
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R / TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
TRANSISTOR, NPN, SOT23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor Case
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Continuous Collector Current500 mA
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)4 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current500 mA
Max Frequency100 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation310 mW
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.05 mm
Width1.4 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade