onsemi MMBT5210
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Stock
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2,911,192
Authorized Distributors
1
6
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOT-23
SC
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
30 MHz
50 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
700 mV
500 mV
hFE Min
250
200
Power Dissipation
350 mW
200 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
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Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
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Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.BC847A-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descrições
Descrições de onsemi MMBT5210 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans General Purpose BJT NPN 50 Volt 0.1A 3-Pin SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
MMBT5219 Series 50 V 100 mA NPN General Purpose Amplifier - SOT-23-3
This device is designed for low noise, high gain, general purpose amplifier applications at collector currents from 1 µA to 50 mA.
TRANSISTOR NPN 0.1A 50V SOT23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:250; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:700mV; Current Ic Continuous a Max:10mA; Gain Bandwidth ft Typ:30MHz; Hfe Min:250; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:350mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage700 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)4.5 V
Frequency30 MHz
Gain Bandwidth Product30 MHz
hFE Min250
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency30 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation350 mW
Transition Frequency30 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height930 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade