onsemi MMBT3904WT1
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25,455,241
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Authorized Distributors
2
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
-
SC
SC
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
200 mA
200 mA
200 mA
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
300 mV
300 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
150 mW
150 mW
150 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-04-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2010-07-21
LTD Date2011-01-21
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
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Diodes Inc.MMBT3904T-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-523, Surface Mount
Diodes Inc.MMST3904-7-F
Single Bipolar Transistor, NPN, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-323, 3 Pin, Surface Mount
Descrições
Descrições de onsemi MMBT3904WT1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Cut Tape (CT) Single 3 EAR99 Bipolar (BJT) Transistor 200mA 150mW 300MHz 250ns
NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
200 mA, 40 V NPN Bipolar Junction Transistor. ONSSPCTRNSTVU6M5P;
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating200 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min30
Max Collector Current200 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation150 mW
Transition Frequency300 MHz
Voltage Rating (DC)40 V
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade