onsemi MMBT3904SL
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Stock
5,663,877
7,527,680
Authorized Distributors
3
6
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
-
SOT-1123
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
Max Collector Current
200 mA
200 mA
Transition Frequency
300 MHz
200 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
-
hFE Min
30
30
Power Dissipation
227 mW
347 mW
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2008-02-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
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Bipolar Transistor Array, Dual, Complementary NPN and PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 200 mW
Descrições
Descrições de onsemi MMBT3904SL fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 227mW 3-Pin SOT-1123 T/R / TRANS NPN 40V 0.2A SOT-923F
NPN Epitaxial Silicon Transistor
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 40V, SOT-923F-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40V; Transition Frequency ft: 300MHz; Power Dissipation Pd: 227mW; DC Collector Current: 200mA; DC Current Gain hFE: 30hFE;
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight22 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency300 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation227 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation227 mW
Transition Frequency300 MHz
Dimensions
Height400 µm
Length850 µm
Width650 µm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade