onsemi MMBT2907AWT1G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | MMBT2907AWT1G | 174.000 | 3K | 2d | ||||||||
| Newark | MMBT2907AWT1G | 1.385 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | MMBT2907AWT1G | 970.952 | 20548 | |||||||||
| Arrow Electronics | MMBT2907AWT1G | 8.667 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | MMBT2907AWT1G | 378.000 | 3K | Tape & Reel |
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1 peça disponível
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | 3D | Baixar | |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SC
SC
SC
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
60 V
60 V
Max Collector Current
600 mA
600 mA
600 mA
Transition Frequency
200 MHz
200 MHz
200 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-1.6 V
-1.6 V
-1.6 V
hFE Min
50
50
50
Power Dissipation
150 mW
150 mW
150 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descrições
Descrições de onsemi MMBT2907AWT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Surface Mount
ON SEMI MMBT2907AWT1G PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 0.6 A, 60 V, 3-PIN SC-70
60V 150mW 100@150mA,10V 600mA PNP SOT-323(SC-70) Bipolar Transistors - BJT ROHS
MMBT Series 60 V 600 mA SMT PNP Silicon General Purpose Transistor - SOT-323
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V, FULL REEL
PNP Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-323/SC-70 package which is designed for low power surface mount applications.
Bipolar Transistor, Pnp, -60V, Full Reel; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:60V; Continuous Collector Current:600Ma; Power Dissipation:150Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi MMBT2907AWT1G.
BIPOLAR Transistor; Transistor POLARITY:; BIPOLAR Transistor; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:-600mA; DC Current Gain hFE:200; No. of Pins:3; Packaging:Cut Tape
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage-1.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating-600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min50
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current600 mA
Max Frequency200 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation150 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height700 µm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade