onsemi MMBT2222AT
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6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
-
SOT-23
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
600 mA
600 mA
600 mA
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
300 mV
300 mV
hFE Min
40
75
75
Power Dissipation
250 mW
225 mW
225 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2008-02-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2020-10-09
LTD Date2021-04-09
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Transistor General Purpose BJT NPN 40 Volt 0.6 Amp 6-Pin SOT-363 Tape And Reel
Descrições
Descrições de onsemi MMBT2222AT fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
MMBT2222AT Series 40 V 600 mA NPN Epitaxial Silicon Transistor - SOT-523F
NPN Bipolar Transistor. ONSSPCTRNSTVU6M5P;
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin SOT-523F T/R
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)75 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current600 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation250 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency300 MHz
Dimensions
Height780 µm
Length1.7 mm
Width980 µm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade